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2018-11-19 16:08 来源:中国网

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国内的DRAM发展前景严峻,紫光国微将2.2亿转让DRAM业务

? 2018-11-19 10:20 ? 次阅读
洋码头目前在全球83个国家拥有4万多买手,2011年海淘还未火热的时候,海外买手在中国渠道里非常被动。

10月11日晚间,紫光国芯微电子股份有限公司发布公告,将转让公司旗下专注于DRAM存储器芯片设计研发的西安紫光国芯半导体有限公司(以下简称“西安紫光国芯”)给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司(以下简称“紫光存储”)。

国内的DRAM发展前景严峻,紫光国微将2.2亿转让DRAM业务

按照公告的说法,过去几年里,西安紫光国芯为保持和跟进 DRAM 存储器芯片设计领域的先进技术,持续加大产品开发投入,但受下游制造代工产能等方面的限制,短期内无法达到规模经济,经营压力加大,资产负债率不断提高,已影响到其正常持续经营,给上市公司带来了一定的资金和业绩压力,其自身后续的研发投入也面临很大困难。

鉴于上述原因,结合公司间接控股股东紫光集团有限公司(以下简称“紫光集团”)在存储器领域的总体战略布局,为充分发挥西安紫光国芯在存储器芯片设计领域的技术、产品、市场方面的优势和价值,增强存储器方向的协同作用,同时保障其持续发展对资金的需求,公司拟将西安紫光国芯 100%股权以 22,009 万元人民币转让给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司(以下简称“紫光存储”)。上述股权转让完成后,公司将不再持有西安紫光国芯股权。

紫光国芯微电子股份有限公司(以下简称“本公司”或“公司”)系 2001 年 8 月 17 日经河北省人民政府以冀股办(2001)88 号文批准,由唐山晶源裕丰电子有限公司整体变更而成的股份有限公司。

公司属于电子元器件制造业,主营业务为集成电路设计、开发、销售与技术服务;高亮度发光二级管(LED)衬底材料开发、生产、销售;生产和销售压电石英晶体器件;经营本公司自产产品和技术的出口业务;经营本公司生产、科研所需的原辅材料、仪器仪表、机器设备、零配件及技术的进口业务(国家限定公司经营和禁止进出口的商品除外);经营进料加工和“三来一补”业务。

公司旗下共有紫光同芯微电子有限公司、深圳市国微电子有限公司、西安紫光国芯半导体有限公司、深圳市紫光同创电子有限公司、 唐山国芯晶源电子有限公司和无锡紫光微电子有限公司等公司。这次出让的西安紫光国芯半导体有限公司则是公司旗下从事DRAM研发的企业。公司主营业务包括存储器设计开发及自有品牌存储器产品的销售,并提供相关集成电路的设计、测试服务,目前的主要产品为 DRAM存储器芯片和模组。

公司今年一月在互动平台上回答投资者问题,针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问回复说:“DDR4与DDR3相比,单条容量有很大提高,可以实现较高的容量。另外,频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压,有利于更低的功耗。

同时,关于公司在国内业界、排名情况,紫光国芯介绍,公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平,国内稀缺,但目前产品产量很小,市场份额不大。”

至于公司的营收水平,根据公告显示,在2017年,紫光国芯收入3.428亿人民币,亏损1200多万。而在今年前七个月,公司营取得了3.273亿元的收入,亏损了接近六百万。

紫光国微的独立董事表示:“公司将全资子公司西安紫光国芯半导体有限公司(以下简称“西安紫光国芯”)100%股权转让给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司的关联交易事项,属于公司对现有业务的调整,有利于减轻上市公司资金投入压力,改善财务状况,提升盈利能力,符合公司发展战略;同时,可以保障西安紫光国芯的资金需求,促进其研发项目的顺利推进及业务的健康发展。”

北京紫光存储是紫光旗下专门从事存储业务的企业,这次接受了紫光国芯的DRAM业务,能够集中精力的开拓国内的存储业务。而紫光国微剥离DRAM,也能够更加专注于安全芯片领域。这样对双方都比较有利,能够避免未来可能存在的竞争,战略上能统一到一起。

紫光集团今年内在持续加码存储业务。作为本次资产接盘方,紫光存储去年成立,今年8月份携旗下8个系列的存储产品首次亮相位于美国的2018年闪存峰会。当时,紫光存储CEO任奇伟表示,紫光存储经过短短一年的发展,在客户需求、产品规划、研发、验证、生产等各个方面逐步完善,并成功推出闪存产品。

另外,长江存储8月公开发布了全新3D NAND架构XtackingTM。据介绍,该技术将为3D NAND闪存提高I/O高性能、存储密度,缩短产品上市周期。目前长江存储已将该技术应用于到第二代3D NAND产品的开发,预计2019年进入量产阶段。

但我们也应该看到,无论是对紫光存储还是紫光国芯来说,在DRAM上面的推荐依然严峻。

和NAND Flash一样,国内的DRAM之前也近乎一片空白,目前虽然有合肥长鑫、晋华集成和紫光在这方年投入。但可以看到,三星、美光和海力士已经占据了全球96%的DRAM芯片市场份额。在技术方面,也同样走在前面。

资料显示,以上三家厂商的DRAM已经进入了1X时代。但这些工艺已经推进非常困难。按照DIGITIes的资料显示,要实现先进技术的DRAM工艺每月10000wafer的产量,需要投入6亿美元的成本。而同等工艺的NAND只需要4.5亿美元。

再考虑到三星、SK海力士和美光有可能依靠DRAM市场的影响力,对国内厂商围追堵截。再加上技术授权方面的问题,国内的DRAM发展前景严峻。

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DRAM价格终于不再涨了?

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发表于 2018-11-19 14:12 ? 700次阅读
DRAM价格终于不再涨了?

中国存储器产业发展需要跨过“融入市场”与 “自主...

从全球申请人排名的情况来看,如图3所示,DRAM存储寡头三星、海力士、美光具有接近万件以上的专利申请...

发表于 2018-11-19 10:44 ? 2524次阅读
中国存储器产业发展需要跨过“融入市场”与 “自主...

针对含DSP电路板的测试方法与诊断分析

在现代雷达系统中,含DSP电路板应用很广,含DSP电路板通常是以某种DSP芯片为核心,外围配以双口R...

发表于 2018-11-19 08:13 ? 1061次阅读
针对含DSP电路板的测试方法与诊断分析

美光持续淡化NOR芯片布局,美光淡出NOR有利旺...

赛普拉斯、美光先前位居全球前两大NOR芯片厂,随着各大厂专注技术层次更高的DRAM与NAND领域,淡...

发表于 2018-11-19 09:24 ? 1370次阅读
美光持续淡化NOR芯片布局,美光淡出NOR有利旺...

2018年半导体资本支出的数据手册存储器IC占总...

ICInsights预测,今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元,这是该行业在一年中首次在资本支...

发表于 2018-11-19 10:33 ? 846次阅读
2018年半导体资本支出的数据手册存储器IC占总...

ASIC大爆发,FPGA将沦为被取代的命运?

有人认为,除了人才短缺、开发难度较大,相比未来的批量化量产的ASIC芯片,FPGA在成本、性能、功耗...

发表于 2018-11-19 08:25 ? 717次阅读
ASIC大爆发,FPGA将沦为被取代的命运?

大手笔!紫光再投18亿美元建设二期工厂

虽然目前武汉新芯科技合并出来的长江存储专注3D NAND闪存,但是新芯科技本身最强的还是NOR闪存,...

发表于 2018-11-19 15:01 ? 668次阅读
大手笔!紫光再投18亿美元建设二期工厂

IC Insights:2018半导体存储IC资...

IC Insights预测,2018年内存将占到半导体资本支出的53%。存储设备的资本支出份额在六年...

发表于 2018-11-19 17:05 ? 2406次阅读
IC Insights:2018半导体存储IC资...

赵伟国怒怼芯片巨头高通,求“一口饭吃”!

赵伟国称,紫光只是在芯片上赚了点小钱,高通就很不爽,外国的芯片巨头应该更有远见一些,在集成电路领域给...

发表于 2018-11-19 15:16 ? 1348次阅读
赵伟国怒怼芯片巨头高通,求“一口饭吃”!

IC Insights:半导体资本年支出将首次超...

据国外分析机构IC Insights预测,今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元,这是该行业一年...

发表于 2018-11-19 09:31 ? 1234次阅读
IC Insights:半导体资本年支出将首次超...

明年下半年DRAM价格有下修压力,产值低于今年的...

DRAM涨势不断,后遗症逐步显现,通路商表示,因存储器涨幅过大,下游应用端,尤其是笔电和部分智能手机...

发表于 2018-11-19 16:22 ? 272次阅读
明年下半年DRAM价格有下修压力,产值低于今年的...

南亚科完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DD...

台塑集团旗下DRAM大厂南亚科技术能力大跃进,完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRA...

发表于 2018-11-19 16:09 ? 199次阅读
南亚科完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DD...

自己做的3358的板,网卡连接使用rgmii模式。使用sdk 8.0的uboot,请问为什么sdk 8.0 uboot下网络不通?

发表于 2018-11-19 02:35 ? 279次阅读
自己做的3358的板,网卡连接使用rgmii模式。使用sdk 8.0的uboot,请问为什么sdk 8.0 uboot下网络不通?

TI的DM365拷入DRAM的时候出错,这是什么原因啊?

发表于 2018-11-19 02:39 ? 185次阅读
TI的DM365拷入DRAM的时候出错,这是什么原因啊?

FPGA读写DRAM存储器的代码

发表于 2018-11-19 15:31 ? 1314次阅读
FPGA读写DRAM存储器的代码

英特尔存储器:热数据推“傲腾”,温数据有“Ruler”

发表于 2018-11-19 17:08 ? 897次阅读
英特尔存储器:热数据推“傲腾”,温数据有“Ruler”

DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1,对吗?

发表于 2018-11-19 09:29 ? 3283次阅读
DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1,对吗?
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